制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSDSON-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:37 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:OptiMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.1 mm
长度:3.3 mm
系列:OptiMOS 3
晶体管类型:1 N-Channel
类型:OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度:3.3 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:39 S, 20 S
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:40 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:15 ns
零件号别名:BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ76N6NS3GXT SP000454420
单位重量:76 mg